SI2329DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
NOVA部品番号:
312-2263502-SI2329DS-T1-GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SI2329DS-T1-GE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
P-Channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | |
| 基本製品番号 | SI2329 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 6A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 30mOhm @ 5.3A, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 800mV @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 29 nC @ 4.5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (最大) | ±5V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 8 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1485 pF @ 4 V | |
| 消費電力(最大) | 2.5W (Tc) | |
| その他の名前 | SI2329DS-T1-GE3-ND SI2329DS-T1-GE3CT SI2329DS-T1-GE3TR SI2329DS-T1-GE3DKR |
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