NVMTS1D2N08H
MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
NOVA部品番号:
312-2306091-NVMTS1D2N08H
製造元:
製造メーカー部品番号:
NVMTS1D2N08H
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
N-Channel 80 V 43.5A (Ta), 337A (Tc) 5W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-DFNW (8.3x8.4) | |
| 基本製品番号 | NVMTS1 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 43.5A (Ta), 337A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.1mOhm @ 90A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 590µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 147 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 80 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 10100 pF @ 40 V | |
| 消費電力(最大) | 5W (Ta), 300W (Tc) | |
| その他の名前 | 488-NVMTS1D2N08HDKR NVMTS1D2N08H-ND 488-NVMTS1D2N08HCT 488-NVMTS1D2N08HTR |
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