BSZ0602LSATMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TDSON-8 FL
基本製品番号	BSZ0602
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™ 5
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	13A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.3V @ 36µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	18 nC @ 4.5 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerTDFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	80 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2340 pF @ 40 V
消費電力(最大)	69W (Tc)
その他の名前	448-BSZ0602LSATMA1TR SP001589450 448-BSZ0602LSATMA1DKR 448-BSZ0602LSATMA1CT