NVR5198NLT1G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
NOVA部品番号:
312-2284986-NVR5198NLT1G
製造元:
製造メーカー部品番号:
NVR5198NLT1G
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | |
| 基本製品番号 | NVR5198 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 155mOhm @ 1A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 5.1 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 182 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 900mW (Ta) | |
| その他の名前 | NVR5198NLT1GOSTR ONSONSNVR5198NLT1G 2156-NVR5198NLT1G-OS NVR5198NLT1GOSCT NVR5198NLT1GOSDKR NVR5198NLT1G-ND |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
NVR5198NLT3Gonsemi
NTJD1155LT1Gonsemi
FDC5614Ponsemi
NCP45540IMNTWG-Honsemi
NCS20071SN2T1Gonsemi- FDC6312Ponsemi
NVTFS5116PLTAGonsemi
NCV1117ST33T3Gonsemi
TSM2308CX RFGTaiwan Semiconductor Corporation
FDMC4435BZonsemi- NVR5124PLT1Gonsemi
SQ2308CES-T1_GE3Vishay Siliconix- NTTFS5116PLTAGonsemi
BAT54HT1Gonsemi
