BSP373NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
NOVA部品番号:
312-2280164-BSP373NH6327XTSA1
製造メーカー部品番号:
BSP373NH6327XTSA1
ひょうじゅんほうそう:
1,000
技術データシート:
N-Channel 100 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-SOT223-4 | |
| 基本製品番号 | BSP373 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 1.8A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 240mOhm @ 1.8A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 218µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 265 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 1.8W (Ta) | |
| その他の名前 | BSP373NH6327XTSA1CT BSP373NH6327XTSA1DKR BSP373NH6327XTSA1TR BSP373NH6327XTSA1-ND SP001059328 |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
FDD1600N10ALZonsemi
FZT853TADiodes Incorporated
BZT52C15S-7-FDiodes Incorporated- DMN10H220LE-13Diodes Incorporated
FQT7N10LTFonsemi
SQD40P10-40L_GE3Vishay Siliconix
BSR316PH6327XTSA1Infineon Technologies
FMMT723TADiodes Incorporated
