IPP60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3
NOVA部品番号:
312-2264869-IPP60R080P7XKSA1
製造メーカー部品番号:
IPP60R080P7XKSA1
ひょうじゅんほうそう:
50
技術データシート:
N-Channel 650 V 37A (Tc) 129W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO220-3 | |
| 基本製品番号 | IPP60R080 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | CoolMOS™ P7 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 37A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 80mOhm @ 11.8A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 590µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 51 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-220-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2180 pF @ 400 V | |
| 消費電力(最大) | 129W (Tc) | |
| その他の名前 | SP001647034 |
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