FQP32N20C
MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
NOVA部品番号:
312-2297899-FQP32N20C
製造元:
製造メーカー部品番号:
FQP32N20C
ひょうじゅんほうそう:
1,000
技術データシート:
N-Channel 200 V 28A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| 基本製品番号 | FQP32 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | QFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 28A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 82mOhm @ 14A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-220-3 | |
| Vgs (最大) | ±30V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2200 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 156W (Tc) | |
| その他の名前 | FQP32N20C-ND FQP32N20CFS |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
ESDLWHRVGTaiwan Semiconductor Corporation
B540C-13-FDiodes Incorporated
FQP12P20onsemi
1N5819HW-7-FDiodes Incorporated
TLC3704INTexas Instruments
FNETHE025Diodes Incorporated- IRL640Aonsemi
SBRD10200TRSMC Diode Solutions
RB068LAM150TFTRRohm Semiconductor
TPIC6B595NTexas Instruments
LM1085IT-12/NOPBTexas Instruments
