CSD18501Q5A

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Texas Instruments
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-VSONP (5x6)
基本製品番号	CSD18501
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	NexFET™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	22A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	3.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	50 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerTDFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	40 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	3840 pF @ 20 V
消費電力(最大)	3.1W (Ta), 150W (Tc)
その他の名前	-CSD18501Q5A-NDR 296-30570-1 -296-30570-1 2156-CSD18501Q5A 296-30570-6 -296-30570-1-ND TEXTISCSD18501Q5A 296-30570-2

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