SIA431DJ-T1-GE3

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® SC-70-6
基本製品番号	SIA431
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	12A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	1.5V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	850mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	60 nC @ 8 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	PowerPAK® SC-70-6
Vgs (最大)	±8V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1700 pF @ 10 V
消費電力(最大)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
その他の名前	SIA431DJ-T1-GE3TR SIA431DJ-T1-GE3DKR SIA431DJ-T1-GE3CT SIA431DJT1GE3 SIA431DJ-T1-GE3-ND

In stock お問い合わせください

あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。

他にもお気に入りの製品が見つかりました！