SIDR610DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK
NOVA部品番号:
312-2288844-SIDR610DP-T1-GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SIDR610DP-T1-GE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
N-Channel 200 V 8.9A (Ta), 39.6A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8DC | |
| 基本製品番号 | SIDR610 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 8.9A (Ta), 39.6A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 7.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 31.9mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1380 pF @ 100 V | |
| 消費電力(最大) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) | |
| その他の名前 | SIDR610DP-T1-GE3TR SIDR610DP-T1-GE3DKR SIDR610DP-T1-GE3CT |
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