SIAA02DJ-T1-GE3

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® SC-70-6
基本製品番号	SIAA02
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	22A (Ta), 52A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	2.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	4.7mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	1.6V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	33 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	PowerPAK® SC-70-6
Vgs (最大)	+12V, -8V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1250 pF @ 10 V
消費電力(最大)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
その他の名前	742-SIAA02DJ-T1-GE3DKR 742-SIAA02DJ-T1-GE3CT 742-SIAA02DJ-T1-GE3TR

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