SI4435DYTRPBF
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
NOVA部品番号:
312-2280352-SI4435DYTRPBF
製造メーカー部品番号:
SI4435DYTRPBF
ひょうじゅんほうそう:
4,000
技術データシート:
P-Channel 30 V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SO | |
| 基本製品番号 | SI4435 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 8A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 20mOhm @ 8A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2320 pF @ 15 V | |
| 消費電力(最大) | 2.5W (Ta) | |
| その他の名前 | SI4435DYPBFTR SI4435DYPBFCT SI4435DYPBFDKR SP001573756 *SI4435DYTRPBF |
In stock もっと必要ですか。
$0.72870
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
RS3E075ATTBRohm Semiconductor
SI4435DYonsemi
SI4435DDY-T1-E3Vishay Siliconix
