SCT30N120H

SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
NOVA部品番号:
312-2273435-SCT30N120H
製造メーカー部品番号:
SCT30N120H
ひょうじゅんほうそう:
1,000

N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Surface Mount H2Pak-2

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カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元STMicroelectronics
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
動作温度 -55°C ~ 200°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ H2Pak-2
基本製品番号 SCT30
テクノロジーSiCFET (Silicon Carbide)
シリーズ-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 40A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)20V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (最大) @ ID 3.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 105 nC @ 20 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (最大)+25V, -10V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)1200 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 1700 pF @ 400 V
消費電力(最大) 270W (Tc)
その他の名前497-SCT30N120HDKR
SCT30N120H-ND
497-SCT30N120HTR
497-SCT30N120HCT

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