FDME820NZT

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	onsemi
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	MicroFet 1.6x1.6 Thin
基本製品番号	FDME820
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	PowerTrench®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	9A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	1.8V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	18mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	8.5 nC @ 4.5 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	6-PowerUFDFN
Vgs (最大)	±12V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	865 pF @ 10 V
消費電力(最大)	2.1W (Ta)
その他の名前	FDME820NZTTR FDME820NZT-ND FDME820NZTCT FDME820NZTDKR

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