NP36P06SLG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 36A TO252
NOVA部品番号:
312-2304804-NP36P06SLG-E1-AY
製造メーカー部品番号:
NP36P06SLG-E1-AY
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
P-Channel 60 V 36A (Tc) 1.2W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Renesas Electronics America Inc | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-252 (MP-3ZK) | |
| 基本製品番号 | NP36P06 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 36A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 30mOhm @ 18A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | - | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 52 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3200 pF @ 10 V | |
| 消費電力(最大) | 1.2W (Ta), 56W (Tc) | |
| その他の名前 | -1161-NP36P06SLG-E1-AYCT 559-NP36P06SLG-E1-AYDKR 559-NP36P06SLG-E1-AYCT 559-NP36P06SLG-E1-AYTR NP36P06SLG-E1-AY-ND |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
T591B157M006ATE070KEMET
BAV74-TPMicro Commercial Co
DMPH6050SK3-13Diodes Incorporated
TCJB157M006R0045Kyocera AVX
NP15P06SLG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
STD35P6LLF6STMicroelectronics- NP20P06SLG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
- TJ50S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
MCP2515-E/SOMicrochip Technology
ATP113-TL-Honsemi- IXTY48P05TIXYS
