BSC046N02KSGAUMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TDSON-8-1
基本製品番号	BSC046
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	19A (Ta), 80A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	2.5V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	4.6mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	1.2V @ 110µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	27.6 nC @ 4.5 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerTDFN
Vgs (最大)	±12V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	4100 pF @ 10 V
消費電力(最大)	2.8W (Ta), 48W (Tc)
その他の名前	BSC046N02KS G BSC046N02KSGAUMA1CT BSC046N02KSGAUMA1DKR BSC046N02KS GTR-ND BSC046N02KSG BSC046N02KS GCT-ND SP000379666 BSC046N02KS GTR BSC046N02KSGAUMA1TR BSC046N02KS GDKR BSC046N02KS GDKR-ND BSC046N02KS G-ND BSC046N02KS GCT

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