SQ2301ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
NOVA部品番号:
312-2284983-SQ2301ES-T1_GE3
製造メーカー部品番号:
SQ2301ES-T1_GE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:

P-Channel 20 V 3.9A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount TO-236 (SOT-23)

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元Vishay Siliconix
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TA)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-236 (SOT-23)
基本製品番号 SQ2301
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 3.9A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)2.5V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (最大)±8V
FETタイプP-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)20 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 425 pF @ 10 V
消費電力(最大) 3W (Tc)
その他の名前742-SQ2301ES-T1_GE3DKR
742-SQ2301ES-T1_GE3CT
SQ2301ES-T1_GE3CT
742-SQ2301ES-T1_GE3TR
SQ2301ES-T1_GE3TR
SQ2301ES-T1_GE3TR-ND
SQ2301ES-T1_GE3CT-ND

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