TPH6400ENH,L1Q

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-SOP Advance (5x5)
基本製品番号	TPH6400
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	U-MOSVIII-H
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	13A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	64mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 300µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	11.2 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerVDFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	200 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1100 pF @ 100 V
消費電力(最大)	1.6W (Ta), 57W (Tc)
その他の名前	TPH6400ENHL1QCT TPH6400ENHL1QDKR TPH6400ENH,L1Q(M TPH6400ENH,L1QDKR TPH6400ENH,L1QTR-ND TPH6400ENH,L1QCT-ND TPH6400ENH,L1QTR TPH6400ENH,L1QDKR-ND TPH6400ENHL1QTR TPH6400ENH,L1QCT

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