FCPF650N80Z
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
NOVA部品番号:
312-2275768-FCPF650N80Z
製造メーカー部品番号:
FCPF650N80Z
ひょうじゅんほうそう:
1
技術データシート:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 30.5W (Tc) Through Hole TO-220F
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Fairchild Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220F | |
| 基本製品番号 | FCPF650 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | SuperFET® II | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 8A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 650mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.5V @ 800µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 35 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-220-3 Full Pack | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 800 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1565 pF @ 100 V | |
| 消費電力(最大) | 30.5W (Tc) | |
| その他の名前 | 2156-FCPF650N80Z ONSFSCFCPF650N80Z |
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