IQE013N04LM6ATMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount, Wettable Flank
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TSON-8-4
基本製品番号	IQE013
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	31A (Ta), 205A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	1.35mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2V @ 51µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	55 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerTDFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	40 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	3900 pF @ 20 V
消費電力(最大)	2.5W (Ta), 107W (Tc)
その他の名前	448-IQE013N04LM6ATMA1CT 448-IQE013N04LM6ATMA1TR 448-IQE013N04LM6ATMA1DKR SP005340902

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