IXTH2N170D2
MOSFET N-CH 1700V 2A TO247
NOVA部品番号:
312-2278472-IXTH2N170D2
製造元:
製造メーカー部品番号:
IXTH2N170D2
ひょうじゅんほうそう:
30
技術データシート:
N-Channel 1700 V 2A (Tj) 568W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247 (IXTH) | |
| 基本製品番号 | IXTH2 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Depletion | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 2A (Tj) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 0V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 6.5Ohm @ 1A, 0V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | - | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 110 nC @ 5 V | |
| FETの特徴 | Depletion Mode | |
| パッケージ・ケース | TO-247-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1700 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3650 pF @ 10 V | |
| 消費電力(最大) | 568W (Tc) |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
IXTH1N170DHVIXYS
G3R45MT17DGeneSiC Semiconductor
IXTH3N200P3HVIXYS
STW4N150STMicroelectronics
IXTH6N100D2IXYS- G2R1000MT17DGeneSiC Semiconductor
LSIC1MO170E0750Littelfuse Inc.- STW3N170STMicroelectronics