DMNH6012LK3Q-13

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Diodes Incorporated
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	TO-252-4L
基本製品番号	DMNH6012
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	Automotive, AEC-Q101
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	80A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	12mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	35.2 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1926 pF @ 30 V
消費電力(最大)	2W (Ta)
その他の名前	DMNH6012LK3Q-13DICT DMNH6012LK3Q-13-ND DMNH6012LK3Q-13DITR DMNH6012LK3Q-13DIDKR

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