PSMN1R2-30YLDX

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	LFPAK56, Power-SO8
基本製品番号	PSMN1R2
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	100A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	1.24mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.2V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	68 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	SC-100, SOT-669
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	4616 pF @ 15 V
消費電力(最大)	194W (Tc)
その他の名前	PSMN1R2-30YLDX-ND 568-11556-1 568-11556-2 1727-1860-1 1727-1860-2 934068235115 568-11556-2-ND PSMN0R9-30YLD,115 568-11556-1-ND 1727-1860-6 568-11556-6-ND 568-11556-6