SQ4153EY-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
NOVA部品番号:
312-2291194-SQ4153EY-T1_GE3
製造メーカー部品番号:
SQ4153EY-T1_GE3
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:

P-Channel 12 V 25A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

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カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元Vishay Siliconix
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
基本製品番号 SQ4153
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 25A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)1.8V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID 900mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 151 nC @ 4.5 V
FETの特徴-
パッケージ・ケース8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (最大)±8V
FETタイプP-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)12 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 11000 pF @ 6 V
消費電力(最大) 7.1W (Tc)
その他の名前SQ4153EY-T1_GE3DKR
SQ4153EY-T1_GE3TR
SQ4153EY-T1_GE3CT
SQ4153EY-T1_GE3-ND

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