ZXMN2A01E6TA

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Diodes Incorporated
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	SOT-23-6
基本製品番号	ZXMN2
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	2.5A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	2.5V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	120mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	700mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	3 nC @ 4.5 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	SOT-23-6
Vgs (最大)	±12V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	303 pF @ 15 V
消費電力(最大)	1.1W (Ta)
その他の名前	ZXMN2A01E6CT-ND ZXMN2A01E6CT-NDR ZXMN2A01E6TR-ND ZXMN2A01E6TR-NDR ZXMN2A01E6DKR ZXMN2A01E6DKRINACTIVE 1034-ZXMN2A01E6CT 31-ZXMN2A01E6TATR ZXMN2A01E6DKR-ND ZXMN2A01E6TR 31-ZXMN2A01E6TACT ZXMN2A01E6CT 31-ZXMN2A01E6TADKR 1034-ZXMN2A01E6TR