SIHD1K4N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
NOVA部品番号:
312-2265247-SIHD1K4N60E-GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SIHD1K4N60E-GE3
ひょうじゅんほうそう:
2,000
技術データシート:
N-Channel 600 V 4.2A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount D-Pak
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | D-Pak | |
| 基本製品番号 | SIHD1 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | E | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 4.2A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.45Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (最大) | ±30V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 600 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 172 pF @ 100 V | |
| 消費電力(最大) | 63W (Tc) | |
| その他の名前 | SIHD1K4N60E-GE3DKR SIHD1K4N60E-GE3DKR-ND SIHD1K4N60E-GE3TR-ND SIHD1K4N60E-GE3DKRINACTIVE SIHD1K4N60E-GE3CT SIHD1K4N60E-GE3CT-ND SIHD1K4N60E-GE3TR SIHD1K4N60E-GE3CTINACTIVE |
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