STB12NM50T4
MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
NOVA部品番号:
312-2297904-STB12NM50T4
製造メーカー部品番号:
STB12NM50T4
ひょうじゅんほうそう:
1,000
技術データシート:
N-Channel 550 V 12A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | D2PAK | |
| 基本製品番号 | STB12 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | MDmesh™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 12A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 350mOhm @ 6A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 50µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 39 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±30V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 550 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1000 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 160W (Tc) | |
| その他の名前 | 497-5381-6 497-5381-6-ND 497-STB12NM50T4TR 497-5381-2-ND 497-5381-1-ND STB12NM50T4-ND 497-STB12NM50T4DKR 497-STB12NM50T4CT 497-5381-1 497-5381-2 |
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