BS107PSTZ

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Diodes Incorporated
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ	E-Line (TO-92 compatible)
基本製品番号	BS107
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	Automotive, AEC-Q101
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	120mA (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	2.6V, 5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	30Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID	-
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	E-Line-3
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	200 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	85 pF @ 25 V
消費電力(最大)	500mW (Ta)
その他の名前	BS107PSTZ-ND BS107PSTZDICT BS107PSTZDITR

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