PSMN059-150Y,115

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	LFPAK56, Power-SO8
基本製品番号	PSMN059
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	43A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	59mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	27.9 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	SC-100, SOT-669
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	150 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1529 pF @ 30 V
消費電力(最大)	113W (Tc)
その他の名前	568-4734-2 PSMN059-150Y T/R 568-4734-1 PSMN059-150Y,115-ND 1727-4171-6 1727-4171-1 1727-4171-2 PSMN059150Y115 934061773115 NEXNEXPSMN059-150Y,115 568-4734-6 568-4734-6-ND 2156-PSMN059-150Y,115-NEX PSMN059-150Y T/R-ND 568-4734-1-ND 568-4734-2-ND

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