SCT50N120
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
NOVA部品番号:
312-2273525-SCT50N120
製造メーカー部品番号:
SCT50N120
ひょうじゅんほうそう:
30
技術データシート:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | HiP247™ | |
| 基本製品番号 | SCT50 | |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 65A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 20V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 69mOhm @ 40A, 20V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 122 nC @ 20 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-247-3 | |
| Vgs (最大) | +25V, -10V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1900 pF @ 400 V | |
| 消費電力(最大) | 318W (Tc) | |
| その他の名前 | -1138-SCT50N120 497-16598-5 |
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