IPN80R4K5P7ATMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-SOT223
基本製品番号	IPN80R4
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	CoolMOS™ P7
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	1.5A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	4.5Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3.5V @ 20µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	4 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-261-4, TO-261AA
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	800 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	80 pF @ 500 V
消費電力(最大)	6W (Tc)
その他の名前	IPN80R4K5P7ATMA1TR IPN80R4K5P7ATMA1DKR SP001657536 IPN80R4K5P7ATMA1CT IPN80R4K5P7ATMA1-ND

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