BSC886N03LSGATMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TDSON-8-1
基本製品番号	BSC886
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	13A (Ta), 65A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	26 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerTDFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2100 pF @ 15 V
消費電力(最大)	2.5W (Ta), 39W (Tc)
その他の名前	BSC886N03LS GTR-ND BSC886N03LS GDKR-ND BSC886N03LS GCT-ND BSC886N03LSGATMA1CT BSC886N03LS GCT BSC886N03LSGATMA1DKR BSC886N03LS GDKR BSC886N03LS G-ND BSC886N03LSGATMA1TR 2156-BSC886N03LSGATMA1 SP000475950 IFEINFBSC886N03LSGATMA1 BSC886N03LS G BSC886N03LSG

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