CSD18512Q5BT

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Texas Instruments
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-VSON-CLIP (5x6)
基本製品番号	CSD18512
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	NexFET™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	211A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	1.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	98 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerTDFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	40 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	7120 pF @ 20 V
消費電力(最大)	139W (Tc)
その他の名前	296-CSD18512Q5BTCT CSD18512Q5BT-ND 2156-CSD18512Q5BT TEXTISCSD18512Q5BT 296-CSD18512Q5BTDKR 296-CSD18512Q5BTTR

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