IXTH80N65X2

MOSFET N-CH 650V 80A TO247
NOVA部品番号:
312-2291212-IXTH80N65X2
製造元:
製造メーカー部品番号:
IXTH80N65X2
ひょうじゅんほうそう:
30
技術データシート:

N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元IXYS
RoHS 1
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247 (IXTH)
基本製品番号 IXTH80
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズUltra X2
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 80A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 40mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 4.5V @ 4mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 144 nC @ 10 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースTO-247-3
Vgs (最大)±30V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)650 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 7753 pF @ 25 V
消費電力(最大) 890W (Tc)

In stock お問い合わせください

あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。