TK5R1P08QM,RQ
UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
NOVA部品番号:
312-2287948-TK5R1P08QM,RQ
製造メーカー部品番号:
TK5R1P08QM,RQ
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
N-Channel 80 V 84A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount DPAK
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | 175°C | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | DPAK | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | U-MOSX-H | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 84A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 5.1mOhm @ 42A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 700µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 80 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3980 pF @ 40 V | |
| 消費電力(最大) | 104W (Tc) | |
| その他の名前 | 264-TK5R1P08QM,RQDKR-ND 264-TK5R1P08QM,RQDKR 264-TK5R1P08QMRQDKR 264-TK5R1P08QM,RQTR TK5R1P08QM,RQ(S2 264-TK5R1P08QM,RQCT-ND 264-TK5R1P08QM,RQCT 264-TK5R1P08QMRQTR 264-TK5R1P08QM,RQTR-ND 264-TK5R1P08QMRQCT |
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