PSMN9R5-100BS,118

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	D2PAK
基本製品番号	PSMN9R5
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	89A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	9.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	82 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	4454 pF @ 50 V
消費電力(最大)	211W (Tc)
その他の名前	568-9709-1 568-9709-2 568-9709-1-ND 568-9709-2-ND 568-9709-6 934066208118 NEXNEXPSMN9R5-100BS,118 568-9709-6-ND PSMN9R5-100BS,118-ND 2156-PSMN9R5-100BS,118-NEX PSMN9R5100BS118 1727-7218-6 1727-7218-1 1727-7218-2

In stock お問い合わせください

あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。

他にもお気に入りの製品が見つかりました！