FQB6N80TM

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK

NOVA部品番号:

312-2291160-FQB6N80TM

製造元:

製造メーカー部品番号:

FQB6N80TM

ひょうじゅんほうそう:

800

技術データシート:

N-Channel 800 V 5.8A (Tc) 3.13W (Ta), 158W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	onsemi
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	D²PAK (TO-263)
基本製品番号	FQB6N80
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	QFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	5.8A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	1.95Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	31 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (最大)	±30V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	800 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1500 pF @ 25 V
消費電力(最大)	3.13W (Ta), 158W (Tc)
その他の名前	FQB6N80TM-ND FQB6N80TMTR FQB6N80TMDKR FQB6N80TMCT