SI2304DS,215
MOSFET N-CH 30V 1.7A TO236AB
NOVA部品番号:
312-2314344-SI2304DS,215
製造メーカー部品番号:
SI2304DS,215
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
N-Channel 30 V 1.7A (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-236AB | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 117mOhm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 4.6 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 195 pF @ 10 V | |
| 消費電力(最大) | 830mW (Tc) | |
| その他の名前 | SI2304DS T/R SI2304DS T/R-ND SI2304DS,215-ND 568-5957-2 568-5957-1 568-5957-6 934056633215 |
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