VMO580-02F
MOSFET N-CH 200V 580A Y3-LI
NOVA部品番号:
312-2283923-VMO580-02F
製造元:
製造メーカー部品番号:
VMO580-02F
ひょうじゅんほうそう:
2
技術データシート:
N-Channel 200 V 580A (Tc) - Chassis Mount Y3-Li
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Chassis Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Y3-Li | |
| 基本製品番号 | VMO580 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | HiPerFET™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 580A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 3.8mOhm @ 430A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 50mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 2750 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | Y3-Li | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 200 V | |
| 消費電力(最大) | - | |
| その他の名前 | VMO580-02F-NDR Q1221985A VMO58002F |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
VS-FC270SA20Vishay General Semiconductor - Diodes Division
IXTN400N15X4IXYS
VS-FC420SA10Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SQJQ160E-T1_GE3Vishay Siliconix
APTM20DAM05GMicrochip Technology- IXFN300N20X3IXYS