BSZ088N03MSGATMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TSDSON-8
基本製品番号	BSZ088
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	11A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	27 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerTDFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2100 pF @ 15 V
消費電力(最大)	2.1W (Ta), 35W (Tc)
その他の名前	BSZ088N03MSGINCT BSZ088N03MSGATMA1TR BSZ088N03MSGXT IFEINFBSZ088N03MSGATMA1 2156-BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSGINTR BSZ088N03MSGINTR-ND BSZ088N03MSGINDKR BSZ088N03MSG SP000311509 BSZ088N03MSGINCT-ND BSZ088N03MSGATMA1DKR BSZ088N03MSGINDKR-ND BSZ088N03MS G BSZ088N03MSGATMA1CT