SIJ188DP-T1-GE3

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8
基本製品番号	SIJ188
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	7.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	3.85mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3.6V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	44 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	PowerPAK® SO-8
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1920 pF @ 30 V
消費電力(最大)	5W (Ta), 65.7W (Tc)
その他の名前	SIJ188DP-T1-GE3TR SIJ188DP-T1-GE3DKR SIJ188DP-T1-GE3CT

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