IRF530STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
NOVA部品番号:
312-2263509-IRF530STRLPBF
製造元:
製造メーカー部品番号:
IRF530STRLPBF
ひょうじゅんほうそう:
800
技術データシート:
N-Channel 100 V 14A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
| 基本製品番号 | IRF530 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 14A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 160mOhm @ 8.4A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 670 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 3.7W (Ta), 88W (Tc) | |
| その他の名前 | IRF530STRLPBF-ND IRF530STRLPBFCT IRF530STRLPBFTR IRF530STRLPBFDKR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
IRF530NSTRLPBFInfineon Technologies
LM317AEMPX/NOPBTexas Instruments
B5817WS-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
SMBJ5340BE3/TR13Microchip Technology
MC22FA911J-FCornell Dubilier Electronics (CDE)
GF1B-E3/67AVishay General Semiconductor - Diodes Division
IRF9630SPBFVishay Siliconix
G6K-2F-RF DC12Omron Electronics Inc-EMC Div
TZMC6V2-GS18Vishay General Semiconductor - Diodes Division
EL7104CSZRenesas Electronics America Inc
1N4148W-7-FDiodes Incorporated- MC22FD681J-FCornell Dubilier Electronics (CDE)
- IRF530STRRPBFVishay Siliconix
