FDMS86200DC

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	onsemi
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-PQFN (5x6)
基本製品番号	FDMS86200
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	Dual Cool™, PowerTrench®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	9.3A (Ta), 28A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	6V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	17mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	42 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerTDFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	150 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2955 pF @ 75 V
消費電力(最大)	3.2W (Ta), 125W (Tc)
その他の名前	FDMS86200DCTR FDMS86200DC-ND FDMS86200DCCT FDMS86200DCDKR

In stock お問い合わせください

あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。

他にもお気に入りの製品が見つかりました！