IXFN82N60Q3
MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
NOVA部品番号:
312-2291916-IXFN82N60Q3
製造元:
製造メーカー部品番号:
IXFN82N60Q3
ひょうじゅんほうそう:
10
技術データシート:
N-Channel 600 V 66A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Chassis Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-227B | |
| 基本製品番号 | IXFN82 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | HiPerFET™, Q3 Class | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 66A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 75mOhm @ 41A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 6.5V @ 8mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 275 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| Vgs (最大) | ±30V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 600 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 13500 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 960W (Tc) |
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