IRLML5103TRPBF
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
NOVA部品番号:
312-2282003-IRLML5103TRPBF
製造メーカー部品番号:
IRLML5103TRPBF
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
P-Channel 30 V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Micro3™/SOT-23 | |
| 基本製品番号 | IRLML5103 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 760mA (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 600mOhm @ 600mA, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 5.1 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 75 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 540mW (Ta) | |
| その他の名前 | IRLML5103GTRPBFTR IRLML5103PBFCT IRLML5103GTRPBFDKR-ND IRLML5103GTRPBFCT IRLML5103GTRPBFDKR SP001568594 IRLML5103GTRPBF SP001572946 *IRLML5103TRPBF IRLML5103PBFDKR IRLML5103PBFTR IRLML5103GTRPBFCT-ND IRLML5103GTRPBF-ND IRLML5103GTRPBFTR-ND |
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