IRF6775MTRPBF
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
NOVA部品番号:
312-2263584-IRF6775MTRPBF
製造メーカー部品番号:
IRF6775MTRPBF
ひょうじゅんほうそう:
4,800
技術データシート:
N-Channel 150 V 4.9A (Ta), 28A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MZ | |
| 基本製品番号 | IRF6775 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 4.9A (Ta), 28A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 56mOhm @ 5.6A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 100µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | DirectFET™ Isometric MZ | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 150 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1411 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | |
| その他の名前 | IRF6775MTRPBFCT IRF6775MTRPBFDKR IRF6775MTRPBFTR SP001562042 IRF6775MTRPBF-ND |
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