SCTH35N65G2V-7
SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
NOVA部品番号:
312-2289877-SCTH35N65G2V-7
製造メーカー部品番号:
SCTH35N65G2V-7
ひょうじゅんほうそう:
1,000
技術データシート:
N-Channel 650 V 45A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | H2PAK-7 | |
| 基本製品番号 | SCTH35 | |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 45A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 18V, 20V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 67mOhm @ 20A, 20V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.2V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 73 nC @ 20 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (最大) | +22V, -10V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1370 pF @ 400 V | |
| 消費電力(最大) | 208W (Tc) | |
| その他の名前 | 497-SCTH35N65G2V-7DKR 497-SCTH35N65G2V-7TR 497-SCTH35N65G2V-7CT |
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