BSM400D12P2G003
SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
NOVA部品番号:
303-2248929-BSM400D12P2G003
製造メーカー部品番号:
BSM400D12P2G003
ひょうじゅんほうそう:
4
技術データシート:
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 400A (Tc) 2450W (Tc) Module
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
| 製造元 | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Module | |
| 基本製品番号 | BSM400 | |
| パッケージ・ケース | Module | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 400A (Tc) | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | - | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 85mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | - | |
| FETの特徴 | Silicon Carbide (SiC) | |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 38000pF @ 10V | |
| パワー - 最大 | 2450W (Tc) | |
| その他の名前 | 846-BSM400D12P2G003 |
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