SQS944ENW-T1_GE3
MOSFET N-CHAN 40V
NOVA部品番号:
303-2249442-SQS944ENW-T1_GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SQS944ENW-T1_GE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK® 1212-8W Dual
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount, Wettable Flank | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8W Dual | |
| 基本製品番号 | SQS944 | |
| パッケージ・ケース | PowerPAK® 1212-8W Dual | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 6A (Tc) | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 25mOhm @ 1.25A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 10nC @ 10V | |
| FETの特徴 | Standard | |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 40V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 615pF @ 25V | |
| パワー - 最大 | 27.8W (Tc) | |
| その他の名前 | SQS944ENW-T1_GE3TR SQS944ENW-T1_GE3CT SQS944ENW-T1_GE3DKR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました!
- BSS308PEH6327XTSA1Infineon Technologies
- NVMFD5C470NLWFT1Gonsemi
- DMTH4011SPDQ-13Diodes Incorporated
- TL431BQDBZRQ1Texas Instruments
- SQJ912BEP-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQJB40EP-T1_GE3Vishay Siliconix
- NVMFD5C466NLWFT1Gonsemi
- SQJQ906E-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQJ942EP-T1_GE3Vishay Siliconix
- ZXTN2010ZQTADiodes Incorporated
- TJA1044GT/3ZNXP USA Inc.
- SI7216DN-T1-E3Vishay Siliconix
- LM2903AVQDRQ1Texas Instruments
- SQ4284EY-T1_GE3Vishay Siliconix








