SI6562CDQ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP

NOVA部品番号:

303-2248821-SI6562CDQ-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI6562CDQ-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-TSSOP
基本製品番号	SI6562
パッケージ・ケース	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	6.7A, 6.1A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	22mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	23nC @ 10V
FETの特徴	Logic Level Gate
FETタイプ	N and P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	850pF @ 10V
パワー - 最大	1.6W, 1.7W
その他の名前	SI6562CDQT1GE3 SI6562CDQ-T1-GE3DKR SI6562CDQ-T1-GE3CT SI6562CDQ-T1-GE3TR

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